产品描述
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品分类 : | MOS |
产品品牌 : | AGM |
产品型号 : | AGM312MAP |
包装数量 : | 5000 PCS |
包装方式 : | 真空卷带 |
封装规格 : | PDFN3.3*3.3 |
产品详情
AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管简要参数:
属性 | 参数值 |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | N沟道+P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 18A;18A |
功率(Pd) | 3.6W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,10A;24mΩ@10V,10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@4.5V;12nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 440pF@25V;860pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管结构图示:
AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管重要参数:
AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管典型参数特性:
AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管包装信息说明:
更多关于AGM312MAP无线充15W发射方案N+P MOS管信息,请联系诺芯盛科技获取,可提供样品及无线充电方案设计等
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