留言
首页
新闻中心
公司新闻
行业新闻
技术中心
产品中心
无线充电发射芯片
无线充电接收芯片
无线充电宝芯片
无线充接收+发送ic
电源管理+功率器件
方案中心
无线充发射方案
无线充接收方案
无线充电宝方案
案例应用
客户案例
应用案例
前沿案例
优势品牌
injoinic英集芯
NuVolta伏达
Celfras联智
southchip南芯
中科芯元
ASDsemi安森德
APM永源微电子
agmsemi芯控源
ruichips锐骏
NDP芯潭微
maxictech美芯晟
紫光芯能
关于我们
公司简介
企业文化
发展历程
联系我们
留言
首页
TAG标签
AGM312MAP
AGM312MAP
AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 30V用于英集芯
AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)18A适用于英集芯IP6821无线充15W发射方案
栏目:MOS管
04-10
2024
首页
上一页
1
下一页
尾页
共
1
页
1
条
留言咨询
185-2081-8530
0755-28190365
lin@icgan.com