英集芯ip6801原理之H桥驱动架构说明及优势

英集芯ip6801原理之H桥驱动架构说明简介：

       英集芯ip6801原理，有别于传统MCU直驱MOS的无线充电发射架构，外围驱动2P2N全桥MOS及另一类常用MCU无线充电架构是MCU搭配模拟前端全桥IC(全桥IC集成了全桥驱动、ASK解调、4NMOS)；推出专利驱动方案结合了上述两种方案的优势，该方案首创了一种独特的低压引脚驱动高压H桥架构，同时搭配外部的2P2N MOS，实现了与MCU搭配全桥IC相当的功能。IP6801在驱动方面的创新标志着MCU不再需要外部配备全桥IC，从而进一步提升了无线充电发射方案的性价比。

英集芯ip6801原理之H桥驱动架构说明，5V/9V/12V应用驱动原理图：

英集芯ip6801原理之H桥驱动架构说明，5V/9V应用驱动原理图：

英集芯ip6801原理之H桥驱动架构优势：

          英集芯IP6801采用的专利H桥驱动架构，支持5V/9V/12V(或更高电压)下半桥/全桥工作模式，解决了传统单片机方案无法12V输入下工作、无法半桥模式工作以及小占空比下H桥驱动失效等痛点。

       英集芯ip6801是一款高集成度，符合WPC qi标准的无线充电发射控制芯片。芯片内部集成H桥驱动模块、ASK通讯解调模块、适配器快充Sink协议等必要的无线充电资源。