好消息，又一关键技术获得突破，中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术

我国科技领域再次传来好消息，又一关键技术获得突破！中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术。

速来围观，究竟发生了什么吧！

中芯国际近期宣布，已成功研发出55纳米nm BCD平台技术，并在小范围应用。

有朋友就要问了，中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术，那么什么是BCD平台呢？

答：它其实就是一种技术工艺、一种可以将三种器件集成到一个芯片上的工艺，由于这种BCD平台制造出来的芯片集合了三种器件的优点，可以极大地降低芯片封装和冷却系统的成本，同时能将大功率施加在负载上，常常应用于高电压、高功率和高密度的场景。

那么这个中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术是处于什么水平呢？

目前，中芯国际BCD平台已经成功研发出55纳米工艺并且开始小范围的试产，而韩国三星、台积电的BCD平台量产工艺水平也只有65纳米。

单纯从工艺制程上来说，标志着我国的BCD平台已经处于世界领先水平。

中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术的突破又意味着什么呢？

       假如中芯国际成功研发55纳米BCD平台技术，能试产成功并实现量产的话，那将对我国的汽车工业、电源管理、航天工业等关键产业领域产生巨大影响。到时中芯国际的55纳米芯片产能，不仅能满足我国对55纳米芯片80%的需求，还能接到代工订单，让我国从芯片输入国，变为芯片输出国，同时实现BCD平台55纳米芯片脱钩台积电，解决老美“限芯令”导致“卡脖子”的问题。