100w车充应用英诺赛科氮化镓GaN功率器件150W同步升降压参考设计

       氮化镓GaN功率器件是近几年以来，最为火爆的第三代半导体功率器件，其应用非常广泛，但是主要集中在大功率充电器产品中的650V高压应用，而低压的车充产品则非常少见。近期国内GaN大厂英诺赛科推出一款型号为INN040W040A的40V低压氮化镓GaN功率器件，主要应用于100W大功率车充，笔记本内置充电，大功率快充移动电源等产品。

       对于车充市场来说，支持100W大功率输出的车充很少，具备65-100W大功率输出的车充，可以提供等同于设备原装快速充电器的理想充电效果。但受限于硅MOS的物理性能，频率低，损耗大，相关的产品很少，售价也较高。英诺赛科推出的低压氮化镓器件INN040W040A，可以在车充和笔记本电脑应用中取代传统硅MOS，在提升转换效率的同时，提高功率密度，缩小体积，满足更多需求。

       英诺赛科推出的这款使用低压氮化镓器件INN040W040A的同步升降压参考设计，其支持12-24V输入电压范围，输出支持3.3-19.2V，支持150W输出功率，满足百瓦大功率车充，笔记本内置充电，大功率快充移动电源应用。

       100w车充应用GaN功率器件INN040W040A低压氮化镓器件，其具有40V耐压，导阻仅为4mΩ，具备氮化镓无反向恢复的优势，栅极电荷仅为同规格硅MOS的二分之一不到，能够降低控制器驱动压力，缩短死区时间。并支持更高的开关频率，减小电路体积并提高转换效率。