诺芯盛为您解密ip6808无线充电pcb参考设计及demo资料
诺芯盛为您解密ip6808无线充电pcb设计相关问题汇总：
ip6808无线充电pcb参考设计之10W DEMO_V1.4版本的pcb实物图片：
ip6808无线充电pcb参考设计之10W DEMO_V1.4版本的贴片图：
ip6808无线充电pcb参考设计之10W DEMO_V1.4版本详细资料下载：
1、ip6808无线充电pcb设计问题，线圈采样电阻和谐振电容分别放在H桥NMOS的两边中间处；参考布局如下
ip6808无线充电pcb参考布局1
ip6808无线充电pcb参考布局2
2、ip6808无线充电pcb设计问题，下图是无线充线圈和H桥中电流的路径，黄色和蓝色分别是正负周期的电流；PCB布局和走线时，要保证电流路径环路面积尽可能小；特别要注意输入电源的滤波电容（C3、 C12），要位于电流路径上，且要靠近H桥中MOS管的电源和地；电流采样和电压采样电路要远离H桥的开关MOS，GND路径不能跟功率桥的GND回流路径重合；IP6808的EPAD GND，跟系统地平面要连接良好，建议在EPAD上打4X4的过孔矩阵，芯片背面的GND要完整连接到GND平面；
3、ip6808无线充电pcb设计问题，20毫欧采样电阻的GND与系统GND之间连接要良好，要求打10个以上的过孔连接到系统地；
4、ip6808无线充电pcb设计问题，线圈电流通过20毫欧电阻来采样，采样后经滤波和放大后送入IP6808进行解调和解码；采样信号要直接从20毫欧电阻两端引线，20毫欧到滤波放大电路部分采样走线需要用“差分”的方式走线（参考下图走线），特别要注意采样电阻GND的采样线，要单独走线到放大电路的地，不能简单与系统地连上；滤波放大部分的地，不能位于电流路径上，防止引入干扰；
5、ip6808无线充电pcb设计问题，检测输入电流的10毫欧采样电阻，采样线要直接从10毫欧电阻两端引线，走“差分”形式；要注意给IP6808第32脚供电的VBUS走线，要单独走线，不要跟VBUS的采样线有重合共用；
6、ip6808无线充电pcb设计问题，线圈电流电压采样电路，属于重要敏感的模拟信号，应远离H桥的开关MOS，应注意线圈电压电流采样电路的走线，避免与H桥的输入电源或驱动信号有平行重合；CODE_DET_V和CODE_DET_I等采样信号，有较长走线时，需要将敏感的采样信号做包地处理，来跟其他信号隔离，防止其受到干扰；
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